JMTM170N04A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTM170N04A

Маркировка: 1704

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для JMTM170N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTM170N04A даташит

 ..1. Size:628K  jiejie micro
 jmtm170n04a.pdf pdf_icon

JMTM170N04A

JMTM170N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 40V, 8A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTK3003A, JMTK3004A, JMTK3005A, JMTK3005B, JMTK3005C, JMTK3005L, JMTLB2N7002KDS, JMTLB3134K, RFP50N06, JMTM2310A, JMTM300C02D, JMTM300N03D, JMTM330N06A, JMTM3406D, JMTM3415KL, JMTM8205A, JMTM8205B