DMN2400UV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN2400UV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.33 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SOT563

Аналог (замена) для DMN2400UV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2400UV даташит

 ..1. Size:151K  diodes
 dmn2400uv.pdf pdf_icon

DMN2400UV

DMN2400UV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-563 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminals Finish Ma

 6.1. Size:374K  diodes
 dmn2400ufb.pdf pdf_icon

DMN2400UV

DMN2400UFB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 0.55 @ VGS = 4.5V 0.75A Fast Switching Speed 20V 0.75 @ VGS = 2.5V 0.63A Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package ESD Protect

 6.2. Size:456K  diodes
 dmn2400ufb4.pdf pdf_icon

DMN2400UV

DMN2400UFB4 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case X2-DFN1006-3 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound; Low Input Capacitance UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage

 6.3. Size:319K  diodes
 dmn2400ufd.pdf pdf_icon

DMN2400UV

DMN2400UFD N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Very low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max TA = +25 C Low Input Capacitance 0.9A 0.6 @ VGS = 4.5V Fast Switching Speed 0.7A 0.8 @ VGS = 2.5V 20V ESD Protected Gate 0.5A 1.0 @ VGS = 1.8V Totally Lead-Free & F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN2114SN, DMN2170U, DMN2215UDM, DMN2230U, DMN2300U, DMN2300UFB, DMN2300UFB4, DMN2400UFB4, 50N06, DMN26D0UDJ, DMN26D0UFB4, DMN26D0UT, DMN2990UDJ, ZXM61N02F, ZXM62N02E6, ZXM64N02X, ZXMD63N02X