JMTQ130N04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ130N04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D

Аналог (замена) для JMTQ130N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ130N04D даташит

 ..1. Size:1176K  jiejie micro
jmtq130n04d.pdfpdf_icon

JMTQ130N04D

JMTQ130N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 20A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:467K  jiejie micro
jmtq130p04a.pdfpdf_icon

JMTQ130N04D

JMTQ130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -30A PWM Applications DS D R

 9.1. Size:607K  jiejie micro
jmtq120c03d.pdfpdf_icon

JMTQ130N04D

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

 9.2. Size:1391K  jiejie micro
jmtq120n04d.pdfpdf_icon

JMTQ130N04D

40V, 29A, 15m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ120N04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 29 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 15 mW Applications Load Switch PWM

Другие IGBT... JMTN11DN10A, JMTN2310A, JMTN330N06A, JMTQ11DP03A, JMTQ120C03D, JMTQ120N03A, JMTQ120N03D, JMTQ120N04D, IRFZ46N, JMTQ130P04A, JMTQ160P03A, JMTQ170C04D, JMTQ190N03A, JMTQ200P03A, JMTQ220N04D, JMTQ230N04D, JMTQ240C03D