JMTQ130N04D - аналоги и даташиты транзистора

 

JMTQ130N04D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTQ130N04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMTQ130N04D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ130N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  jiejie micro
jmtq130n04d.pdfpdf_icon

JMTQ130N04D

JMTQ130N04DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 20A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:467K  jiejie micro
jmtq130p04a.pdfpdf_icon

JMTQ130N04D

JMTQ130P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -40V, I = -30A PWM ApplicationsDS DR

 9.1. Size:607K  jiejie micro
jmtq120c03d.pdfpdf_icon

JMTQ130N04D

JMTQ120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 11A Battery ProtectionR

 9.2. Size:1391K  jiejie micro
jmtq120n04d.pdfpdf_icon

JMTQ130N04D

40V, 29A, 15m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ120N04DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 29 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 15 mWApplications Load Switch PWM

Другие MOSFET... JMTN11DN10A , JMTN2310A , JMTN330N06A , JMTQ11DP03A , JMTQ120C03D , JMTQ120N03A , JMTQ120N03D , JMTQ120N04D , STP65NF06 , JMTQ130P04A , JMTQ160P03A , JMTQ170C04D , JMTQ190N03A , JMTQ200P03A , JMTQ220N04D , JMTQ230N04D , JMTQ240C03D .

 

 
Back to Top

 


 
.