JMTQ190N03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ190N03A

Маркировка: Q190N03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0172 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для JMTQ190N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ190N03A даташит

 ..1. Size:1237K  jiejie micro
jmtq190n03a.pdfpdf_icon

JMTQ190N03A

 9.1. Size:607K  jiejie micro
jmtq120c03d.pdfpdf_icon

JMTQ190N03A

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

 9.2. Size:467K  jiejie micro
jmtq130p04a.pdfpdf_icon

JMTQ190N03A

JMTQ130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -30A PWM Applications DS D R

 9.3. Size:1176K  jiejie micro
jmtq130n04d.pdfpdf_icon

JMTQ190N03A

JMTQ130N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 20A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTQ120C03D, JMTQ120N03A, JMTQ120N03D, JMTQ120N04D, JMTQ130N04D, JMTQ130P04A, JMTQ160P03A, JMTQ170C04D, IRFB7545, JMTQ200P03A, JMTQ220N04D, JMTQ230N04D, JMTQ240C03D, JMTQ240N03A, JMTQ240N03D, JMSL0406AP, JMSL0406AU