Справочник MOSFET. JMTQ190N03A

 

JMTQ190N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTQ190N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0172 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для JMTQ190N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ190N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  jiejie micro
jmtq190n03a.pdfpdf_icon

JMTQ190N03A

30V, 29A, 16.5m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ190N03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 29 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 13.2 mW Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 16.5 mWApplications Load Switch

 9.1. Size:607K  jiejie micro
jmtq120c03d.pdfpdf_icon

JMTQ190N03A

JMTQ120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 11A Battery ProtectionR

 9.2. Size:467K  jiejie micro
jmtq130p04a.pdfpdf_icon

JMTQ190N03A

JMTQ130P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -40V, I = -30A PWM ApplicationsDS DR

 9.3. Size:1176K  jiejie micro
jmtq130n04d.pdfpdf_icon

JMTQ190N03A

JMTQ130N04DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 20A Load SwitchRDS(ON)

Другие MOSFET... JMTQ120C03D , JMTQ120N03A , JMTQ120N03D , JMTQ120N04D , JMTQ130N04D , JMTQ130P04A , JMTQ160P03A , JMTQ170C04D , 8N60 , JMTQ200P03A , JMTQ220N04D , JMTQ230N04D , JMTQ240C03D , JMTQ240N03A , JMTQ240N03D , , .

 

 
Back to Top

 


 
.