JMSL0406AP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0406AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 536 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для JMSL0406AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0406AP даташит

 ..1. Size:301K  jiejie micro
 jmsl0406ap.pdf pdf_icon

JMSL0406AP

JMSL0406AP 40V 4.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 17.8 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 6.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Manage

 5.1. Size:289K  1
 jmsl0406ag.pdf pdf_icon

JMSL0406AP

JMSL0406AG 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 m Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 5.2. Size:557K  jiejie micro
 jmsl0406agdq.pdf pdf_icon

JMSL0406AP

JMSL0406AGDQ 40V 5.5mW Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 49 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 7.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

 5.3. Size:290K  jiejie micro
 jmsl0406ak.pdf pdf_icon

JMSL0406AP

JMSL0406AK 40V 4.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 73 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 6.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTQ170C04D, JMTQ190N03A, JMTQ200P03A, JMTQ220N04D, JMTQ230N04D, JMTQ240C03D, JMTQ240N03A, JMTQ240N03D, AO4407A, JMSL0406AU, JMSL0406AUQ, JMSL0406PG, JMSL0406PGD, JMSL0406PK, JMSL0406PU, JMSL040SAG, JMSL040SAGQ