JMSL0605PG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0605PG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1045 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0605PG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0605PG даташит

 ..1. Size:1240K  jiejie micro
jmsl0605pg.pdfpdf_icon

JMSL0605PG

60V, 100A, 5.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0605PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 100 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.5 mW Applications Load Switch PW

 6.1. Size:346K  jiejie micro
jmsl0605agdq.pdfpdf_icon

JMSL0605PG

JMSL0605AGDQ 60V 4.4m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 61 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.4 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 6.2. Size:311K  jiejie micro
jmsl0605agd.pdfpdf_icon

JMSL0605PG

JMSL0605AGD 60V 4.4m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 59 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.4 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applicatio

 7.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0605PG

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

Другие IGBT... JMSL0406PK, JMSL0406PU, JMSL040SAG, JMSL040SAGQ, JMSL040SMTL, JMSL040SPG, JMSL0605AGD, JMSL0605AGDQ, IRFP460, JMSL0606AC, JMSL0606AE, JMTI080N02A, JMTI080P03A, JMTI10N10A, JMTI210P02A, JMTI290N06A, JMTI3005A