JMTI60N04A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTI60N04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JMTI60N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTI60N04A даташит

 ..1. Size:480K  jiejie micro
 jmti60n04a.pdf pdf_icon

JMTI60N04A

JMTI60N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 60A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTI080N02A, JMTI080P03A, JMTI10N10A, JMTI210P02A, JMTI290N06A, JMTI3005A, JMTI320N10A, JMTI50N06B, 10N60, JMTK018N03A, JMTK035N04L, JMTK050P03A, JMTK060N06A, JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A, JMTP045N03A