JMTK018N03A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTK018N03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK018N03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 863 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JMTK018N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTK018N03A даташит

..1. Size:1242K jiejie micro
jmtk018n03a.pdf pdf_icon

30V, 190A, 2.5m N-channel Power Trench MOSFET JMTK018N03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.5 mW Load Switch PWM Application

9.1. Size:1320K jiejie micro
jmtk060p03a.pdf pdf_icon

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

9.2. Size:1297K jiejie micro
jmtk035n04l.pdf pdf_icon