JMTK035N04L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK035N04L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 501 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JMTK035N04L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK035N04L даташит

 ..1. Size:1297K  jiejie micro
 jmtk035n04l.pdf pdf_icon

JMTK035N04L

 9.1. Size:1320K  jiejie micro
 jmtk060p03a.pdf pdf_icon

JMTK035N04L

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

 9.2. Size:664K  jiejie micro
 jmtk050p03a.pdf pdf_icon

JMTK035N04L

 9.3. Size:319K  jiejie micro
 jmtk060n06a.pdf pdf_icon

JMTK035N04L

JMTK060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 120A Load Switch R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTI10N10A, JMTI210P02A, JMTI290N06A, JMTI3005A, JMTI320N10A, JMTI50N06B, JMTI60N04A, JMTK018N03A, IRFB4115, JMTK050P03A, JMTK060N06A, JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A, JMTP045N03A, JMTP075N06A, JMTP080N04A