JMTQ062N04A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMTQ062N04A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 213 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMTQ062N04A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMTQ062N04A даташит
jmtq062n04a.pdf
JMTQ062N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 50A Load Switch RDS(ON)
jmtq055n04a.pdf
JMTQ055N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 70A Load Switch RDS(ON)
jmtq040n03a.pdf
JMTQ040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 60A Load Switch RDS(ON)
jmtq075n03d.pdf
JMTQ075N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)
Другие IGBT... JMTP085P02A, JMTP110N06A, JMTP110N06D, JMTP11DN10A, JMTQ025N02A, JMTQ040N03A, JMTQ050N02A, JMTQ055N04A, SPP20N60C3, JMTQ075N03D, JMTQ080P03A, JMSL0606AGD, JMSL0606AGQ, JMSL0606AGWQ, JMSL0606AK, JMSL0606AKQ, JMSL0606AP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor







