JMSL0606AGQ - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSL0606AGQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSL0606AGQ
JMSL0606AGQ технические параметры
jmsl0606agq.pdf
JMSL0606AGQ 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q
jmsl0606ag.pdf
JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial
jmsl0606agd.pdf
JMSL0606AGD 60V 6.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.4 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 7.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment
jmsl0606ag.pdf
JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power
Другие MOSFET... JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , JMTQ080P03A , JMSL0606AGD , AON7410 , JMSL0606AGWQ , JMSL0606AK , JMSL0606AKQ , JMSL0606AP , JMSL0606AU , JMSL0606AUQ , JMSL0606PE , JMSL0606PG .
History: JMTK330N06A
History: JMTK330N06A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220






