JMSL0606AP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0606AP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL0606AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0606AP даташит

 ..1. Size:327K  jiejie micro
jmsl0606ap.pdfpdf_icon

JMSL0606AP

JMSL0606AP 60V 5.3m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 15 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 5.3 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 6.7 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

 5.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0606AP

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 5.2. Size:352K  jiejie micro
jmsl0606akq.pdfpdf_icon

JMSL0606AP

JMSL0606AKQ 60V 4.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 6.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

 5.3. Size:338K  jiejie micro
jmsl0606auq.pdfpdf_icon

JMSL0606AP

JMSL0606AUQ 60V 5.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 59 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 5.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 6.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

Другие IGBT... JMTQ062N04A, JMTQ075N03D, JMTQ080P03A, JMSL0606AGD, JMSL0606AGQ, JMSL0606AGWQ, JMSL0606AK, JMSL0606AKQ, IRFB3607, JMSL0606AU, JMSL0606AUQ, JMSL0606PE, JMSL0606PG, JMSL0606PU, JMSL0608PG, JMSL0608PGD, JMSL0608PK