JMSL0606PU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0606PU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL0606PU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0606PU даташит

 ..1. Size:343K  jiejie micro
jmsl0606pu.pdfpdf_icon

JMSL0606PU

JMSL0606PU 60V 3.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 69 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.9 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.1 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Man

 5.1. Size:1246K  jiejie micro
jmsl0606pe.pdfpdf_icon

JMSL0606PU

60V, 117A, 5.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0606PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 117 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.2 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 5.3 mW Applications Load Switch PWM Application Po

 5.2. Size:332K  jiejie micro
jmsl0606pg.pdfpdf_icon

JMSL0606PU

JMSL0606PG 60V 3.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 114 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 4.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Ma

 6.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0606PU

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

Другие IGBT... JMSL0606AGWQ, JMSL0606AK, JMSL0606AKQ, JMSL0606AP, JMSL0606AU, JMSL0606AUQ, JMSL0606PE, JMSL0606PG, AON7506, JMSL0608PG, JMSL0608PGD, JMSL0608PK, JMSL0608PP, JMSL0608PU, JMSL1009PF, JMSL1009PG, JMSL1009PK