JMSL10130AL - описание и поиск аналогов

 

JMSL10130AL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL10130AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.131 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для JMSL10130AL

 

JMSL10130AL технические параметры

 ..1. Size:327K  jiejie micro
 jmsl10130al.pdf pdf_icon

JMSL10130AL

JMSL10130AL 100V 105m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.9 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 1.8 A Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 105 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 139 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Auto

 4.1. Size:289K  jiejie micro
 jmsl10130aud.pdf pdf_icon

JMSL10130AL

JMSL10130AUD 100V 100m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 100 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 123 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Ma

 4.2. Size:329K  jiejie micro
 jmsl10130apd.pdf pdf_icon

JMSL10130AL

JMSL10130APD 100V 111m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 2.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 111 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 155 m Applications Power Managerment

 4.3. Size:334K  jiejie micro
 jmsl10130ak.pdf pdf_icon

JMSL10130AL

JMSL10130AK 100V 115m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th) 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 6A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 115 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 144 m Applications Power Managerment in Telecom., Industria

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL0608PU , JMSL1009PF , JMSL1009PG , JMSL1009PK , JMSL1009PP , JMSL1009PUN , JMSL10130AGD , JMSL10130AK , SI2302 , JMSL10130AM , JMSL10130AP , JMSL10130APD , JMSL10130AUD , JMSL10130AY , JMSL10130PUD , JMSL1013AGD , JMSL1018AG .

History: AP8P06S | JMTQ055N04A | AP4G02LI

 

 
Back to Top

 


 
.