JMTK100N03A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTK100N03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JMTK100N03A
JMTK100N03A Datasheet (PDF)
jmtk100n03a.pdf
JMTK100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 40A Load SwitchRDS(ON)
jmtk100n02a.pdf
JMTK100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 30A Load SwitchRDS(ON)
jmtk100p03a.pdf
-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFETJMTK100P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -55 A ApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica
jmtk10n10a.pdf
JMTK10N10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V, 10A Load SwitchR
Другие MOSFET... JMSL10130APD , JMSL10130AUD , JMSL10130AY , JMSL10130PUD , JMSL1013AGD , JMSL1018AG , JMTK085P04A , JMTK100N02A , K2611 , JMTK100P03A , JMTK10N10A , JMTK3006B , JMTK3006C , JMTK3006D , JMTK3006E , JMTK320N10A , JMTK330N06A .
History: JMSL0606AUQ | JMSL1018AG | FW344A
History: JMSL0606AUQ | JMSL1018AG | FW344A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40P04DF | AP40P04D | AP40P03DF | AP40P02D | AP40N20MP | AP40N10P | AP40N03S | AP40N02D | AP30P03D | AP30P02DF | AP30P01DF | AP30N20P | AP30N15D | AP30N10Y | AP260N12TLG1 | AP6G03LI
Popular searches
irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet





