JMTK100N03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK100N03A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTK100N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK100N03A даташит

 ..1. Size:980K  jiejie micro
 jmtk100n03a.pdf pdf_icon

JMTK100N03A

JMTK100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 40A Load Switch RDS(ON)

 5.1. Size:1068K  jiejie micro
 jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK100N03A

JMTK100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 30A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1371K  jiejie micro
 jmtk100p03a.pdf pdf_icon

JMTK100N03A

-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFET JMTK100P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -55 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica

 8.1. Size:390K  jiejie micro
 jmtk10n10a.pdf pdf_icon

JMTK100N03A

JMTK10N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 10A Load Switch R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSL10130APD, JMSL10130AUD, JMSL10130AY, JMSL10130PUD, JMSL1013AGD, JMSL1018AG, JMTK085P04A, JMTK100N02A, 75N75, JMTK100P03A, JMTK10N10A, JMTK3006B, JMTK3006C, JMTK3006D, JMTK3006E, JMTK320N10A, JMTK330N06A