JMTK100P03A - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTK100P03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 397 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JMTK100P03A
JMTK100P03A технические параметры
jmtk100p03a.pdf
-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFET JMTK100P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -55 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica
jmtk100n02a.pdf
JMTK100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 30A Load Switch RDS(ON)
jmtk100n03a.pdf
JMTK100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 40A Load Switch RDS(ON)
jmtk10n10a.pdf
JMTK10N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 10A Load Switch R
Другие MOSFET... JMSL10130AUD , JMSL10130AY , JMSL10130PUD , JMSL1013AGD , JMSL1018AG , JMTK085P04A , JMTK100N02A , JMTK100N03A , AO3400A , JMTK10N10A , JMTK3006B , JMTK3006C , JMTK3006D , JMTK3006E , JMTK320N10A , JMTK330N06A , JMTK340P03A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955





