ZXMN2A02N8 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

ZXMN2A02N8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: ZXMN2A02N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.7 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.2 A
   Общий заряд затвора (Qg): 18.9 nC
   Выходная емкость (Cd): 1900 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для ZXMN2A02N8

ZXMN2A02N8 Datasheet (PDF)

..1. Size:158K diodes
zxmn2a02n8.pdf

ZXMN2A02N820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 10.2ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.SO8FEATURES Low on-resistance

0.1. Size:154K zetex
zxmn2a02n8ta.pdf

6.1. Size:247K diodes
zxmn2a02x8.pdf

ZXMN2A02X820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 7.8ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.MSOP8FEATURES Low on-resistance

6.2. Size:246K zetex
zxmn2a02x8ta.pdf