Справочник MOSFET. ZXMN2A03E6

 

ZXMN2A03E6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN2A03E6
   Маркировка: 2A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 837 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для ZXMN2A03E6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN2A03E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  diodes
 zxmn2a03e6.pdf pdf_icon

ZXMN2A03E6

ZXMN2A03E620V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.055 ID = 4.6ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.SOT23-6FEATURES Low on-resistan

 0.1. Size:196K  zetex
 zxmn2a03e6ta.pdf pdf_icon

ZXMN2A03E6

ZXMN2A03E620V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.055 ID = 4.6ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.SOT23-6FEATURES Low on-resistan

 0.2. Size:196K  zetex
 zxmn2a03e6tc.pdf pdf_icon

ZXMN2A03E6

ZXMN2A03E620V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.055 ID = 4.6ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.SOT23-6FEATURES Low on-resistan

 7.1. Size:179K  diodes
 zxmn2a04dn8.pdf pdf_icon

ZXMN2A03E6

ZXMN2A04DN8DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS= 20V; RDS(ON)= 0.025 ; ID= 7.7ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.FEATURESSO8 Low on-resista

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXM62N02E6 , ZXM64N02X , ZXMD63N02X , ZXMN2088DE6 , ZXMN2A01E6 , ZXMN2A01F , ZXMN2A02N8 , ZXMN2A02X8 , IRFP250N , ZXMN2A04DN8 , ZXMN2A14F , ZXMN2AMC , ZXMN2B01F , ZXMN2B03E6 , ZXMN2B14FH , ZXMN2F30FH , ZXMN2F34FH .

History: SQ4401DY | 2SK3228 | PSMN018-100ESF | 19N10G-TF1-T | 10N65KG-TF2-T | 2SK3519-01 | SMIRF16N65T2TL

 

 
Back to Top

 


 
.