JMSL0612AG - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSL0612AG. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0612AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0612AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0612AG даташит

 ..1. Size:349K  jiejie micro
 jmsl0612ag.pdf pdf_icon

JMSL0612AG

JMSL0612AG 60V 9.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 34 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.5 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Mana

 0.1. Size:409K  jiejie micro
 jmsl0612agq.pdf pdf_icon

JMSL0612AG

JMSL0612AGQ 60V 9.5m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 52 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 5.1. Size:404K  jiejie micro
 jmsl0612akq.pdf pdf_icon

JMSL0612AG

JMSL0612AKQ 60V 9.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 57 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.9 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 12.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Appli

 5.2. Size:296K  jiejie micro
 jmsl0612ak.pdf pdf_icon

JMSL0612AG

JMSL0612AK 60V 9.9m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Low RDS(ON) Value Unit VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 52 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.9 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Mana

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTQ100N03A , JMTQ100N03D , JMTQ100N04A , JMTQ100P03A , JMTQ11DN10A , JMSL0611PU , JMSL0611PUD , JMSL06120UQ , IRF630 , JMSL0612AGQ , JMSL0612AK , JMSL0612AKQ , JMSL0612AU , JMSL0612AUQ , JMSL0612PG , JMSL0612PGQ , JMSL0612PK .

History: STS2306E

 

 
Back to Top

 


 
.