JMSL0612AGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0612AGQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL0612AGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0612AGQ даташит

 ..1. Size:409K  jiejie micro
 jmsl0612agq.pdf pdf_icon

JMSL0612AGQ

JMSL0612AGQ 60V 9.5m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 52 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 4.1. Size:349K  jiejie micro
 jmsl0612ag.pdf pdf_icon

JMSL0612AGQ

JMSL0612AG 60V 9.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 34 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.5 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Mana

 5.1. Size:404K  jiejie micro
 jmsl0612akq.pdf pdf_icon

JMSL0612AGQ

JMSL0612AKQ 60V 9.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 57 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.9 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 12.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Appli

 5.2. Size:296K  jiejie micro
 jmsl0612ak.pdf pdf_icon

JMSL0612AGQ

JMSL0612AK 60V 9.9m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Low RDS(ON) Value Unit VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 52 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.9 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Mana

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTQ100N03D, JMTQ100N04A, JMTQ100P03A, JMTQ11DN10A, JMSL0611PU, JMSL0611PUD, JMSL06120UQ, JMSL0612AG, IRF4905, JMSL0612AK, JMSL0612AKQ, JMSL0612AU, JMSL0612AUQ, JMSL0612PG, JMSL0612PGQ, JMSL0612PK, JMSL0612PP