JMSL0612AU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0612AU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL0612AU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0612AU даташит

 ..1. Size:307K  jiejie micro
 jmsl0612au.pdf pdf_icon

JMSL0612AU

JMSL0612AU 60V 10.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 10.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) Halogen-free and RoHS-compliant 12.3 m Applications Power Mana

 0.1. Size:308K  jiejie micro
 jmsl0612auq.pdf pdf_icon

JMSL0612AU

JMSL0612AUQ 60V 10.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 36 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 10.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qua

 5.1. Size:409K  jiejie micro
 jmsl0612agq.pdf pdf_icon

JMSL0612AU

JMSL0612AGQ 60V 9.5m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 52 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 5.2. Size:404K  jiejie micro
 jmsl0612akq.pdf pdf_icon

JMSL0612AU

JMSL0612AKQ 60V 9.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 57 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.9 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 12.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTQ11DN10A, JMSL0611PU, JMSL0611PUD, JMSL06120UQ, JMSL0612AG, JMSL0612AGQ, JMSL0612AK, JMSL0612AKQ, AON7408, JMSL0612AUQ, JMSL0612PG, JMSL0612PGQ, JMSL0612PK, JMSL0612PP, JMSL0612PPD, JMSL0612PU, JMSL0613APD