JMSL0612AU - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSL0612AU. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0612AU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0612AU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0612AU даташит

 ..1. Size:307K  jiejie micro
 jmsl0612au.pdf pdf_icon

JMSL0612AU

JMSL0612AU 60V 10.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 10.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) Halogen-free and RoHS-compliant 12.3 m Applications Power Mana

 0.1. Size:308K  jiejie micro
 jmsl0612auq.pdf pdf_icon

JMSL0612AU

JMSL0612AUQ 60V 10.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 36 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 10.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qua

 5.1. Size:409K  jiejie micro
 jmsl0612agq.pdf pdf_icon

JMSL0612AU

JMSL0612AGQ 60V 9.5m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 52 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 9.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 12.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 5.2. Size:404K  jiejie micro
 jmsl0612akq.pdf pdf_icon

JMSL0612AU

JMSL0612AKQ 60V 9.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 57 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 9.9 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 12.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTQ11DN10A , JMSL0611PU , JMSL0611PUD , JMSL06120UQ , JMSL0612AG , JMSL0612AGQ , JMSL0612AK , JMSL0612AKQ , STP75NF75 , JMSL0612AUQ , JMSL0612PG , JMSL0612PGQ , JMSL0612PK , JMSL0612PP , JMSL0612PPD , JMSL0612PU , JMSL0613APD .

 

 
Back to Top

 


 
.