JMSL0615AV - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL0615AV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0615AV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0128 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
 

 Аналог (замена) для JMSL0615AV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0615AV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  jiejie micro
jmsl0615av.pdfpdf_icon

JMSL0615AV

JMSL0615AV60V 9.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 21 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 9.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Manag

 5.1. Size:371K  jiejie micro
jmsl0615agdq.pdfpdf_icon

JMSL0615AV

JMSL0615AGDQ60V 10.5m Dual N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 33 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)10.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)13.5 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 5.2. Size:313K  jiejie micro
jmsl0615agd.pdfpdf_icon

JMSL0615AV

JMSL0615AGD60V 10.5m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)10.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)13.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power M

 5.3. Size:282K  jiejie micro
jmsl0615aud.pdfpdf_icon

JMSL0615AV

JMSL0615AUD60V 11.0m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 24 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)11.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)14.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Powe

Другие MOSFET... JMTG4004A , JMTG60N04B , JMTG90N02A , JMSL0615AGD , JMSL0615AGDQ , JMSL0615AP , JMSL0615APD , JMSL0615AUD , K2611 , JMSL0615PGDQ , JMSL0620AGDE , JMSL0620AGDEQ , JMSL0620AGE , JMSL0620AGEQ , JMSL0620AUE , JMSL0630AG , JMSL0630AGD .

 

 
Back to Top

 


 
.