JMSL0620AGDE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0620AGDE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL0620AGDE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0620AGDE даташит

 ..1. Size:318K  jiejie micro
 jmsl0620agde.pdf pdf_icon

JMSL0620AGDE

JMSL0620AGDE 60V 18m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 25 m Pb-free Lead Platin

 0.1. Size:305K  jiejie micro
 jmsl0620agdeq.pdf pdf_icon

JMSL0620AGDE

JMSL0620AGDEQ 60V 18m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 18.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 25 m Pb-free Lead Plati

 4.1. Size:400K  jiejie micro
 jmsl0620age.pdf pdf_icon

JMSL0620AGDE

JMSL0620AGE 60V 16m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 23 m Pb-free Lead Plating, Hal

 4.2. Size:400K  jiejie micro
 jmsl0620ageq.pdf pdf_icon

JMSL0620AGDE

JMSL0620AGEQ 60V 16m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON Resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A ESD-enhanced Gate Pin @ HBM Class-2 of 1.1kV Typical RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 16.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 23 m Pb-free Lead Plating, Ha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTG90N02A, JMSL0615AGD, JMSL0615AGDQ, JMSL0615AP, JMSL0615APD, JMSL0615AUD, JMSL0615AV, JMSL0615PGDQ, IRFZ46N, JMSL0620AGDEQ, JMSL0620AGE, JMSL0620AGEQ, JMSL0620AUE, JMSL0630AG, JMSL0630AGD, JMSL0630AU, JMSL0803MG