JMSL0630AU - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSL0630AU. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0630AU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0630AU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0630AU даташит

 ..1. Size:378K  jiejie micro
jmsl0630au.pdfpdf_icon

JMSL0630AU

JMSL0630AU 60V 22m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 30 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom.,

 5.1. Size:383K  jiejie micro
jmsl0630ag.pdfpdf_icon

JMSL0630AU

JMSL0630AG 60V 22m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 25 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 28 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom.,

 5.2. Size:386K  jiejie micro
jmsl0630agd.pdfpdf_icon

JMSL0630AU

JMSL0630AGD 60V 22m Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 23 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 22 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 28 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in

 8.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0630AU

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

Другие MOSFET... JMSL0615PGDQ , JMSL0620AGDE , JMSL0620AGDEQ , JMSL0620AGE , JMSL0620AGEQ , JMSL0620AUE , JMSL0630AG , JMSL0630AGD , IRLB3034 , JMSL0803MG , JMSL1070AK , JMSL1070APD , JMSL1070AY , JMSL1070PY , JMSL10A13G , JMSL10A13GD , JMTG016N04A .

History: APG40N10S | JMSL0615PGDQ | SIHP23N60E | JMSL0615AV | WNMD2162 | HM30N10 | VBZE12N10

 

 
Back to Top

 


 
.