JMSL1004BG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1004BG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 117 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 873 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL1004BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1004BG даташит

 ..1. Size:325K  jiejie micro
jmsl1004bg.pdfpdf_icon

JMSL1004BG

JMSL1004BG 100V 3.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 117 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.4 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 4.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Powe

 6.1. Size:1259K  jiejie micro
jmsl1004rg.pdfpdf_icon

JMSL1004BG

100V, 98A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1004RG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 100 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 98 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manag

 7.1. Size:301K  jiejie micro
jmsl1008agq.pdfpdf_icon

JMSL1004BG

JMSL1008AGQ 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 7.2. Size:289K  jiejie micro
jmsl1008ag.pdfpdf_icon

JMSL1004BG

JMSL1008AG 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 6.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

Другие IGBT... JMTG021N04A, JMTG027N04A, JMTG030P02A, JMTG035N04A, JMTG035N04L, JMTG050P03A, JMTG055N04A, JMTG060N06A, 20N60, JMSL1004RG, JMSL1005PC, JMSL1005PG, JMSL1005PK, JMSL1006AG, JMSL1006AGQ, JMSL1006AK, JMSL1006PG