Справочник MOSFET. JMSL1008AG

 

JMSL1008AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL1008AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL1008AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1008AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  jiejie micro
jmsl1008ag.pdfpdf_icon

JMSL1008AG

JMSL1008AG100V 6.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)6.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment

 0.1. Size:301K  jiejie micro
jmsl1008agq.pdfpdf_icon

JMSL1008AG

JMSL1008AGQ100V 6.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 5.1. Size:325K  jiejie micro
jmsl1008ak.pdfpdf_icon

JMSL1008AG

JMSL1008AK100V 6.7m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 82 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Pow

 5.2. Size:656K  jiejie micro
jmsl1008ac jmsl1008ae.pdfpdf_icon

JMSL1008AG

JMSL1008ACJMSL1008AE100V 6.5mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 114 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.1 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications

Другие MOSFET... JMSL1006AG , JMSL1006AGQ , JMSL1006AK , JMSL1006PG , JMSL1006PGQ , JMSL1006PGS , JMSL1008AC , JMSL1008AE , AON6414A , JMSL1008AGQ , JMTG060P03A , JMTG062N04D , JMTG070N06A , JMTG075C03D , JMTG080N04D , JMTG080P03A , JMTG100C03D .

 

 
Back to Top

 


 
.