JMSL1008AKQ - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSL1008AKQ. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL1008AKQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 368 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSL1008AKQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1008AKQ даташит

 ..1. Size:352K  jiejie micro
 jmsl1008akq.pdf pdf_icon

JMSL1008AKQ

JMSL1008AKQ 100V 6.7m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 98 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.7 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.5 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 4.1. Size:325K  jiejie micro
 jmsl1008ak.pdf pdf_icon

JMSL1008AKQ

JMSL1008AK 100V 6.7m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 82 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Pow

 5.1. Size:301K  jiejie micro
 jmsl1008agq.pdf pdf_icon

JMSL1008AKQ

JMSL1008AGQ 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 5.2. Size:289K  jiejie micro
 jmsl1008ag.pdf pdf_icon

JMSL1008AKQ

JMSL1008AG 100V 6.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 6.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTG080P03A , JMTG100C03D , JMTG100N03A , JMTG100N04A , JMTG100N06A , JMTG100N06D , JMTG100P03A , JMSL1008AK , 2N7002 , JMSL1008AP , JMSL1008MKQ , JMSL1008PGQ , JMSL1009AG , JMSL1009AGQ , JMSL1009AK , JMSL1009AKQ , JMSL1009AU .

History: JMTG100N06D | DH100P28B | AOT20C60 | JMTG062N04D | JMTG28DN10D | JMTG100N04A | JMSL1008AC

 

 
Back to Top

 


 
.