Справочник MOSFET. JMSL1008MKQ

 

JMSL1008MKQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL1008MKQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 789 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSL1008MKQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1008MKQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  jiejie micro
jmsl1008mkq.pdfpdf_icon

JMSL1008MKQ

100V, 56A, 9.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSL1008MKQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.7 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 56 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.5 m Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 9.0 m AEC-Q101 QualifiedApplications

 6.1. Size:301K  jiejie micro
jmsl1008agq.pdfpdf_icon

JMSL1008MKQ

JMSL1008AGQ100V 6.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 88 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 6.2. Size:289K  jiejie micro
jmsl1008ag.pdfpdf_icon

JMSL1008MKQ

JMSL1008AG100V 6.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 93 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)6.0 Pb-free Lead Plating m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment

 6.3. Size:325K  jiejie micro
jmsl1008ak.pdfpdf_icon

JMSL1008MKQ

JMSL1008AK100V 6.7m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 82 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.7 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Pow

Другие MOSFET... JMTG100N03A , JMTG100N04A , JMTG100N06A , JMTG100N06D , JMTG100P03A , JMSL1008AK , JMSL1008AKQ , JMSL1008AP , IRF4905 , JMSL1008PGQ , JMSL1009AG , JMSL1009AGQ , JMSL1009AK , JMSL1009AKQ , JMSL1009AU , JMSL1009BUQ , JMSL1018AGD .

History: JMSL1009AG | JMSL1009AKQ | JMSL1008AP

 

 
Back to Top

 


 
.