Справочник MOSFET. JMSL1009AK

 

JMSL1009AK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL1009AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 548 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSL1009AK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1009AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  jiejie micro
 jmsl1009ak.pdf pdf_icon

JMSL1009AK

JMSL1009AK100V 7.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 78 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 7.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.9 m Halogen-free and RoHS-compliantApplication

 0.1. Size:392K  jiejie micro
 jmsl1009akq.pdf pdf_icon

JMSL1009AK

JMSL1009AKQ100V 7.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 81 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.8 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 5.1. Size:391K  jiejie micro
 jmsl1009au.pdf pdf_icon

JMSL1009AK

JMSL1009AU100V 7.6m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 67 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)9.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications

 5.2. Size:394K  jiejie micro
 jmsl1009ag.pdf pdf_icon

JMSL1009AK

JMSL1009AG100V 7.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 77 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)8.9 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTG100P03A , JMSL1008AK , JMSL1008AKQ , JMSL1008AP , JMSL1008MKQ , JMSL1008PGQ , JMSL1009AG , JMSL1009AGQ , 8205A , JMSL1009AKQ , JMSL1009AU , JMSL1009BUQ , JMSL1018AGD , JMSL1018AGQ , , , .

History: JMSL1018AGD | JMSL1009AU

 

 
Back to Top

 


 
.