JMSL1009AK - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSL1009AK. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL1009AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 548 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSL1009AK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1009AK даташит

 ..1. Size:399K  jiejie micro
 jmsl1009ak.pdf pdf_icon

JMSL1009AK

JMSL1009AK 100V 7.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 78 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 7.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.9 m Halogen-free and RoHS-compliant Application

 0.1. Size:392K  jiejie micro
 jmsl1009akq.pdf pdf_icon

JMSL1009AK

JMSL1009AKQ 100V 7.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 81 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.8 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q10

 5.1. Size:391K  jiejie micro
 jmsl1009au.pdf pdf_icon

JMSL1009AK

JMSL1009AU 100V 7.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 67 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 9.7 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications

 5.2. Size:394K  jiejie micro
 jmsl1009ag.pdf pdf_icon

JMSL1009AK

JMSL1009AG 100V 7.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 77 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 8.9 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTG100P03A , JMSL1008AK , JMSL1008AKQ , JMSL1008AP , JMSL1008MKQ , JMSL1008PGQ , JMSL1009AG , JMSL1009AGQ , IRFP260 , JMSL1009AKQ , JMSL1009AU , JMSL1009BUQ , JMSL1018AGD , JMSL1018AGQ , JMSL1040AC , JMSL1040AE , JMSL1040AG .

History: SIHP33N60EF | JMSL1008AC | JMTG28DN10D | JMTG062N04D | JMTG100N04A | JMSL1009AKQ

 

 
Back to Top

 


 
.