JMSL1018AGQ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSL1018AGQ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0187 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSL1018AGQ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSL1018AGQ даташит
jmsl1018agq.pdf
JMSL1018AGQ 100V 14.5mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 47 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.0 mW Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 18.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi
jmsl1018ag.pdf
JMSL1018AG 100V 14.5m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 35 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 14.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 18.7 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Man
jmsl1018agd.pdf
JMSL1018AGD 100V 17.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 31 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 17 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 22 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Mana
jmsl1018akq.pdf
JMSL1018AKQ 100V 15.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 45 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 15.0 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 19.5 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified
Другие IGBT... JMSL1008PGQ, JMSL1009AG, JMSL1009AGQ, JMSL1009AK, JMSL1009AKQ, JMSL1009AU, JMSL1009BUQ, JMSL1018AGD, SPP20N60C3, JMSL1040AC, JMSL1040AE, JMSL1040AG, JMSL1040AGD, JMSL1040AGDQ, JMSL1040AGQ, JMSL1040AK, JMSL1040APD
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940







