MPT042N10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPT042N10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2584 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MPT042N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPT042N10P даташит

 ..1. Size:819K  cn minos
 mpt042n10p mpt042n10s.pdf pdf_icon

MPT042N10P

100V N-Channel Power MOSFET Description MPT042N10, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for motor drivers and high speed switching applications. General Features V =100V, R

 9.1. Size:875K  cn minos
 mpt045n08p mpt045n08s.pdf pdf_icon

MPT042N10P

85V N-Channel Power MOSFET Description MPT045n08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for motor drivers and high speed switching applications. General Features V =85V, R

Другие IGBT... MPG160N04P, MPG30P10P, MPG40P10P, MPG50N06P, MPG55N06P, MPT028N10S, MPT037N08P, MPT037N08S, IRF2807, MPT042N10S, MPT045N08P, MPT045N08S, MPT65N08, MPT65N08S, P80NF70, AO3400S, AO3401S