MPG60NF06P - аналоги и даташиты транзистора

 

MPG60NF06P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPG60NF06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MPG60NF06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPG60NF06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1035K  cn minos
 mpg60nf06p mdt60nf06d.pdf pdf_icon

MPG60NF06P

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG60NF06 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be used inDS(ON)a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 60ADS DR

 8.1. Size:659K  cn minos
 mpg60n10p mdt60n10d.pdf pdf_icon

MPG60NF06P

DESCRIPTIONThe MPG60N10P uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a widevariety of applications.Application Power switching application Hard switched and High frequency circuits Uninterruptible power supplySchematic diagramKEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 60ADS DR

Другие MOSFET... MPG180N10P , MPG180N10S , MPG200N08P , MPG200N08S , MPG30N06P , MPG30N10P , MPG40N10P , MPG60N10P , IRF3205 , MPG80N06P , MPG90N08P , MPG90N08S , MPT012N08T , MPT023N10T , MPT028N10P , MDT12N10L , MDT13N10D .

History: SIHA11N80E | PSMN014-80YL

 

 
Back to Top

 


 
.