DMN3024LSS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN3024LSS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
Общий заряд затвора (Qg): 6.3 nC
Выходная емкость (Cd): 608 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для DMN3024LSS
DMN3024LSS Datasheet (PDF)
dmn3024lss.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN3024LSS30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 24m @ VGS= 10V 8.5A 30V 36m @ VGS= 4.5V 6.9A Mechan
dmn3024lsd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN3024LSD30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 24m @ VGS= 10V 7.2A 30V 36m @ VGS= 4.5V 5.8A M
dmn3024lk3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN3024LK330V TO252 (DPAK) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Low gate drive 24m @ VGS= 10V 14.4A Green component and RoHS compliant (Note 1) 30
dmn3024lk3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor DMN3024LK3FEATURESDrain Current I = 14.4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 24m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu
Другие MOSFET... DMN100 , DMN2600UFB , DMN3005LK3 , DMN3007LSS , DMN3010LSS , DMN3020LK3 , DMN3024LK3 , DMN3024LSD , IRFP250N , DMN3030LSS , DMN3031LSS , DMN3033LDM , DMN3033LSD , DMN3033LSN , DMN3051L , DMN3051LDM , DMN3052L .