DMN3024LSS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN3024LSS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для DMN3024LSS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3024LSS даташит

 ..1. Size:305K  diodes
 dmn3024lss.pdf pdf_icon

DMN3024LSS

A Product Line of Diodes Incorporated DMN3024LSS 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 24m @ VGS= 10V 8.5A 30V 36m @ VGS= 4.5V 6.9A Mechan

 5.1. Size:687K  diodes
 dmn3024lsd.pdf pdf_icon

DMN3024LSS

A Product Line of Diodes Incorporated DMN3024LSD 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Green component and RoHS compliant (Note 1) 24m @ VGS= 10V 7.2A 30V 36m @ VGS= 4.5V 5.8A M

 6.1. Size:669K  diodes
 dmn3024lk3.pdf pdf_icon

DMN3024LSS

A Product Line of Diodes Incorporated DMN3024LK3 30V TO252 (DPAK) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25 C Low gate drive 24m @ VGS= 10V 14.4A Green component and RoHS compliant (Note 1) 30

 6.2. Size:265K  inchange semiconductor
 dmn3024lk3.pdf pdf_icon

DMN3024LSS

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN3024LK3 FEATURES Drain Current I = 14.4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 24m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN100, DMN2600UFB, DMN3005LK3, DMN3007LSS, DMN3010LSS, DMN3020LK3, DMN3024LK3, DMN3024LSD, CS150N03A8, DMN3030LSS, DMN3031LSS, DMN3033LDM, DMN3033LSD, DMN3033LSN, DMN3051L, DMN3051LDM, DMN3052L