MDT40N10D - аналоги и даташиты транзистора

 

MDT40N10D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDT40N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MDT40N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDT40N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:928K  cn minos
 mdt40n10d.pdf pdf_icon

MDT40N10D

100V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MDT40N10D uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 100V,I = 40A R

 8.1. Size:1035K  cn minos
 mdt40n06d.pdf pdf_icon

MDT40N10D

60V N-Channel Power MOSFEDescriptionThe MDT60N06 uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge. It canbe used in a wide variety of applications.General Features V =60V, R

 9.1. Size:250K  cn minos
 mdt40p10d.pdf pdf_icon

MDT40N10D

Silicon P-Channel Power MOSFETDescriptionThe MDT40P10D uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS= -100V, ID=-40A Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitancesSchematic diagram 100% Single Pulse avalanche energy TestApplication Power switching application

Другие MOSFET... MDT18N20 , MDT20N06 , MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L , MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , IRFP250N , MDT50N06D , MPF2N60 , MPF3N150 , MPF40N25 , MPF50N25 , MPF5N65 , MPF8N65 , MPF9N20 .

 

 
Back to Top

 


 
.