MPF2N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

MPF2N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPF2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для MPF2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  cn minos
 mdp2n60 mdt2n60 mpf2n60.pdf pdf_icon

MPF2N60

600V N-Channel Power MOSFETFeatures PRODUCT SUMMARY R

 0.1. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

MPF2N60

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 0.2. Size:609K  trinnotech
 tmp2n60az tmpf2n60az.pdf pdf_icon

MPF2N60

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 8.1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

MPF2N60

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MDT20P04D , MDT2N60 , MDT30N06L , MDT30N10 , MDT30N10D , MDT40N06D , MDT40N10D , MDT50N06D , IRFB4115 , MPF3N150 , MPF40N25 , MPF50N25 , MPF5N65 , MPF8N65 , MPF9N20 , MPG100N06P , MPG100N06S .

History: MPF8N65 | MPG100N06P

 

 
Back to Top

 


 
.