MPF2N60 datasheet, аналоги, параметры транзистора

MPF2N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPF2N60 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для MPF2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:769K cn minos
mdp2n60 mdt2n60 mpf2n60.pdf pdf_icon

600V N-Channel Power MOSFET Features PRODUCT SUMMARY R

0.1. Size:627K trinnotech
tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

0.2. Size:609K trinnotech
tmp2n60az tmpf2n60az.pdf pdf_icon

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

8.1. Size:604K trinnotech
tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A