MP40N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP40N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MP40N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP40N20 даташит

 ..1. Size:576K  cn minos
 mp40n20.pdf pdf_icon

MP40N20

200V N-Channel MOSFET Description MP40N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications Schematic diagram FEATURES Proprietary New Planar Technology

 9.1. Size:207K  temic
 smp40n10.pdf pdf_icon

MP40N20

Другие IGBT... MLS65R380D, MLS65R580D, MP11P20, MP150N08P, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P, MP3205B, CS150N03A8, MP50N06, MP5N65, MP70N10, MP9N20, MPF12N65, MPF13N50, MPF18N20, MPF20N50