2SK3272-01L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3272-01L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для 2SK3272-01L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3272-01L даташит

 ..1. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3272-01l.pdf pdf_icon

2SK3272-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 22SK3272-01L FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.5m (Max) @VGS= 40V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 4.1. Size:355K  fuji
 2sk3272-01sj-01s-01l.pdf pdf_icon

2SK3272-01L

2SK3272-01L,S,SJ 200509 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Trench Power MOSFET Outline Drawings Features High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof See to P4 Applications Switching regulators DC-DC converters General purpose power amplifier Maximum ratings and characteristics Absolute maximum ratings (Tc=25 C unless otherwise s

 4.2. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3272-01sj.pdf pdf_icon

2SK3272-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3272-01SJ FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.5m (Max) @VGS= 40V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 4.3. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3272-01s.pdf pdf_icon

2SK3272-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3272-01S FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.5m (Max) @VGS= 40V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3214, 2SK3228, 2SK3229, 2SK3233, 2SK3234, 2SK3235, 2SK3270-01, 2SK3271-01, AO3400, 2SK3272-01S, 2SK3273-01MR, 2SK3274, 2SK3275-01L, 2SK3275-01S, 2SK3370, 2SK505, 2SK507