APJ14N65F - описание и поиск аналогов

 

Аналоги APJ14N65F. Основные параметры


   Наименование производителя: APJ14N65F
   Маркировка: AP65R650F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для APJ14N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APJ14N65F даташит

 ..1. Size:1818K  cn apm
 apj14n65f apj14n65p apj14n65t ap65r650.pdf pdf_icon

APJ14N65F

APJ14N65FIPIT (AP65R650) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ14N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 730V

 6.1. Size:1921K  cn apm
 apj14n65d ap65r650.pdf pdf_icon

APJ14N65F

APJ14N65D (AP65R650) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ14N65D is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 730V IDM

Другие MOSFET... APJ30N65P , APJ30N65T , APJ50N65F , APJ50N65P , APJ50N65T , AP65R190 , APN9N50D , APJ14N65D , IRF3710 , APJ14N65P , APJ14N65T , AP01P10I , AP100N03AD , AP100N03D , AP100N03P , AP100N03T , AP100N03Y .

History: HM2300D

 

 
Back to Top

 


 
.