APJ14N65P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APJ14N65P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APJ14N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APJ14N65P даташит

 ..1. Size:1818K  cn apm
 apj14n65f apj14n65p apj14n65t ap65r650.pdf pdf_icon

APJ14N65P

APJ14N65FIPIT (AP65R650) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ14N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 730V

 6.1. Size:1921K  cn apm
 apj14n65d ap65r650.pdf pdf_icon

APJ14N65P

APJ14N65D (AP65R650) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ14N65D is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 730V IDM

Другие IGBT... APJ30N65T, APJ50N65F, APJ50N65P, APJ50N65T, AP65R190, APN9N50D, APJ14N65D, APJ14N65F, IRF3710, APJ14N65T, AP01P10I, AP100N03AD, AP100N03D, AP100N03P, AP100N03T, AP100N03Y, AP100N04D