AP120N08T datasheet, аналоги, параметры транзистора

AP120N08T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP120N08T 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 546 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для AP120N08T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AP120N08T даташит

..1. Size:2391K cn apm
ap120n08p ap120n08t.pdf pdf_icon

AP120N08PIT 85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N08P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 85V I =120A DS D R

6.1. Size:1517K cn apm
ap120n08nf.pdf pdf_icon

AP120N08NF 85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N08NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 85V I =120A DS D R

7.1. Size:578K allpower
ap120n03.pdf pdf_icon