AP4N65P - аналоги и даташиты транзистора

 

AP4N65P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4N65P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP4N65P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1220K  cn apm
 ap4n65f ap4n65p.pdf pdf_icon

AP4N65P

AP4N65FIP 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4N65F/P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Ge

 8.1. Size:1753K  cn apm
 ap4n65d ap4n65y.pdf pdf_icon

AP4N65P

AP4N65DIY 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4N65D/Y is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system General Features VDS =650V,ID =4A RDS(

Другие MOSFET... AP40N20P , AP40N20T , AP45P06F , AP45P06P , AP45P06T , AP4N65D , AP4N65Y , AP4N65F , IRF640N , AP50N06BD , AP50N06BY , AP50N06P , AP50N06T , AP50P06P , AP50P06T , AP5G03S , AP5G03DF .

 

 
Back to Top

 


 
.