AP5N50F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5N50F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP5N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N50F даташит

 ..1. Size:789K  allpower
 ap5n50f.pdf pdf_icon

AP5N50F

 ..2. Size:1440K  cn apm
 ap5n50f ap5n50p ap5n50t.pdf pdf_icon

AP5N50F

AP5N50FIPIT 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Ge

 8.1. Size:841K  allpower
 ap5n50k.pdf pdf_icon

AP5N50F

 8.2. Size:1600K  cn apm
 ap5n50d.pdf pdf_icon

AP5N50F

AP5N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFE Description The AP5N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP50N06BD, AP50N06BY, AP50N06P, AP50N06T, AP50P06P, AP50P06T, AP5G03S, AP5G03DF, IRFB4227, AP5N50P, AP5N50T, AP60N03F, AP60N03T, AP60N03P, AP70P03P, AP70P03T, AP7N65D