AP9N90P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP9N90P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP9N90P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9N90P даташит

 ..1. Size:1187K  cn apm
 ap9n90f ap9n90p ap9n90t.pdf pdf_icon

AP9N90P

AP9N90FIPIT 900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N90F/T/P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.

Другие IGBT... AP80P06T, AP80P10P, AP80P10T, AP85N08BP, AP85N08BT, AP90N06P, AP90N06T, AP9N90F, IRFB3607, AP9N90T, AP110N04D, AP120N02D, AP120N03D, AP120N03NF, AP120N04D, AP120N08NF, AP120N10NF