DMN4800LSSL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN4800LSSL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 798 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для DMN4800LSSL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN4800LSSL даташит

 ..1. Size:217K  diodes
 dmn4800lssl.pdf pdf_icon

DMN4800LSSL

DMN4800LSSL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefitss 14m @ VGS = 10V ID max V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 14m @ VGS = 10V 8.0A 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 20m @ VGS = 4.5V 6.7A Halogen and Antimony Free. Gr

 4.1. Size:160K  diodes
 dmn4800lss.pdf pdf_icon

DMN4800LSSL

DMN4800LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOP-8L 14m @ VGS = 10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 20m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D Lo

 4.2. Size:326K  diodes
 dmn4800lssq.pdf pdf_icon

DMN4800LSSL

DMN4800LSSQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed 14m @ VGS = 10V 8.6A Low Input/Output Leakage 30V 20m @ VGS = 4.5V 7.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Devi

Другие IGBT... DMN32D2LV, DMN3300U, DMN3404L, DMN3730U, DMN3730UFB, DMN3730UFB4, DMN4468LSS, DMN4800LSS, 75N75, DMS3016SFG, DMS3016SSSA, ZXM61N03F, ZXM62N03G, ZXMD63N03X, ZXMN3A01E6, ZXMN3A01F, ZXMN3A02N8