AP3404BI - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP3404BI. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3404BI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP3404BI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3404BI даташит

 ..1. Size:2067K  cn apm
ap3404bi.pdfpdf_icon

AP3404BI

AP3404BI 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3404BI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =4.2A DS D R

 8.1. Size:1931K  allpower
ap3404s.pdfpdf_icon

AP3404BI

S S S S S

 8.2. Size:1523K  allpower
ap3404.pdfpdf_icon

AP3404BI

 8.3. Size:2396K  cn apm
ap3404mi.pdfpdf_icon

AP3404BI

AP3404MI 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3404MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =6A DS D R

Другие MOSFET... AP320N04TLG5 , AP3400AI , AP3400BI , AP3400CI , AP3400DI , AP3400MI-L , AP3401AI , AP3401MI , 2N60 , AP3407AI , AP3407MI , AP3409MI , AP90N06F , AP90P01D , AP90P03NF , AP9435A , AP9926A .

History: AP3400AI

 

 

 


 
↑ Back to Top
.