AP9926A - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP9926A. Основные параметры


   Наименование производителя: AP9926A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP9926A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9926A даташит

 ..1. Size:1438K  cn apm
ap9926a.pdfpdf_icon

AP9926A

AP9926A 20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9926A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.5A DS D R

 8.1. Size:60K  ape
ap9926gm-hf.pdfpdf_icon

AP9926A

AP9926GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D2 D2 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30m D1 Surface Mount Package ID 6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description D2 D1 AP9926 series are from Advanced Power innovated design and silicon process te

 8.2. Size:80K  ape
ap9926go.pdfpdf_icon

AP9926A

AP9926GO Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET G2 Low on-resistance BVDSS 20V S2 S2 D2 Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 28m G1 S1 Low drive current S1 ID 4.6A TSSOP-8 D1 Surface mount package Description D2 The Advanced Power MOSFETs fr

 8.3. Size:60K  ape
ap9926geo-hf.pdfpdf_icon

AP9926A

AP9926GEO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 Low On-resistance BVDSS 20V S2 S2 D2 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 28m G1 S1 Low Drive Current S1 ID 4.6A TSSOP-8 D1 Surface Mount Package RoHS Compliant & Halogen-Free Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G1

Другие MOSFET... AP3404BI , AP3407AI , AP3407MI , AP3409MI , AP90N06F , AP90P01D , AP90P03NF , AP9435A , 7N60 , AP9928A , AP9N20D , AP9N20P , AP9N20Y , AP9P20D , APG100N10D , APG110N10NF , APG120N10NF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.