AP9926A - аналоги и даташиты транзистора

 

AP9926A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP9926A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP9926A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9926A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1438K  cn apm
ap9926a.pdfpdf_icon

AP9926A

AP9926A 20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9926A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.5A DS DR

 8.1. Size:60K  ape
ap9926gm-hf.pdfpdf_icon

AP9926A

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

 8.2. Size:80K  ape
ap9926go.pdfpdf_icon

AP9926A

AP9926GOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 28m G1S1Low drive current S1 ID 4.6A TSSOP-8D1Surface mount package DescriptionD2The Advanced Power MOSFETs fr

 8.3. Size:60K  ape
ap9926geo-hf.pdfpdf_icon

AP9926A

AP9926GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 Low On-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 28mG1S1 Low Drive Current S1 ID 4.6ATSSOP-8D1 Surface Mount Package RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1

Другие MOSFET... AP3404BI , AP3407AI , AP3407MI , AP3409MI , AP90N06F , AP90P01D , AP90P03NF , AP9435A , IRF830 , AP9928A , AP9N20D , AP9N20P , AP9N20Y , AP9P20D , APG100N10D , APG110N10NF , APG120N10NF .

 

 
Back to Top

 


 
.