AP80N06NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP80N06NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 331.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP80N06NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N06NF даташит

 ..1. Size:2440K  cn apm
 ap80n06nf.pdf pdf_icon

AP80N06NF

AP80N06NF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N06NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =80A DS D R

 7.1. Size:583K  allpower
 ap80n06h.pdf pdf_icon

AP80N06NF

 7.2. Size:599K  allpower
 ap80n06t.pdf pdf_icon

AP80N06NF

 7.3. Size:575K  allpower
 ap80n06dh.pdf pdf_icon

AP80N06NF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP7P15Y, AP80N02DF, AP80N02NF, AP80N03D, AP80N03DF, AP80N03NF, AP80N04D, AP80N04DF, IRF840, AP80N07D, AP80N07F, AP80P04D, AP80P04NF, AP80P06D, AP150N03D, AP150N03NF, AP150N04D