AP150N04D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP150N04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP150N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP150N04D даташит

 ..1. Size:1281K  cn apm
 ap150n04d.pdf pdf_icon

AP150N04D

AP150N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP150N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =150 A DS D R

 7.1. Size:534K  allpower
 ap150n03q.pdf pdf_icon

AP150N04D

 7.2. Size:588K  allpower
 ap150n03g.pdf pdf_icon

AP150N04D

 7.3. Size:838K  cn apm
 ap150n03d.pdf pdf_icon

AP150N04D

AP150N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP150N03D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =150 A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP80N06NF, AP80N07D, AP80N07F, AP80P04D, AP80P04NF, AP80P06D, AP150N03D, AP150N03NF, IRF1404, AP150P03NF, AP15G03DF, AP15G03NF, AP15N02S, AP15N06S, AP15N10D, AP15N10D-L, AP15N10S