AP2307AI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2307AI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 242 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2307AI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2307AI даташит

 ..1. Size:1032K  cn apm
 ap2307ai.pdf pdf_icon

AP2307AI

AP2307AI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2307AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-7A DS D R

 8.1. Size:64K  ape
 ap2307gn.pdf pdf_icon

AP2307AI

AP2307GN RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -16V Small Package Outline RDS(ON) 60m D Surface Mount Device ID - 4A S SOT-23 G Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and G cost-effe

 8.2. Size:57K  ape
 ap2307gn-hf.pdf pdf_icon

AP2307AI

AP2307GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -16V Small Package Outline RDS(ON) 60m D Surface Mount Device ID - 4A RoHS Compliant & Halogen-Free S SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G

 8.3. Size:1505K  cn apm
 ap2307mi.pdf pdf_icon

AP2307AI

AP2307MI -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2307MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-7A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP15P06D, AP2300AI, AP2300MI, AP2301BI, AP2302CI, AP2305AI, AP2305BI, AP2305MI, STP75NF75, AP2307MI, AP2311AI, AP2311MI, AP2312AI, AP2312MI, AP2313MI, AP2320MI, AP4N10MI