AP2312AI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2312AI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2312AI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2312AI даташит

 ..1. Size:1228K  cn apm
ap2312ai.pdfpdf_icon

AP2312AI

AP2312AI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2312AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.8A DS D R

 8.1. Size:68K  ape
ap2312gn.pdfpdf_icon

AP2312AI

AP2312GN Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Lower on-resistance RDS(ON) 50m D Surface mount package ID 4.3A S SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible o

 8.2. Size:1137K  allpower
ap2312.pdfpdf_icon

AP2312AI

 8.3. Size:1302K  cn apm
ap2312mi.pdfpdf_icon

AP2312AI

AP2312MI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2312MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.8A DS D R

Другие IGBT... AP2302CI, AP2305AI, AP2305BI, AP2305MI, AP2307AI, AP2307MI, AP2311AI, AP2311MI, IRLB4132, AP2312MI, AP2313MI, AP2320MI, AP4N10MI, AP4N15MI, AP4P05MI, AP50G03GD, AP50H06NF